一种铁电负电容晶体管的电路仿真模型及建模方法

本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种铁电负电容晶体管的电路仿真模型及建模方法，包括基于漏极和源极的偏压计算源极面电荷密度和漏极面电荷密度，基于源极面电荷密度和漏极面电荷密度得到基准金属‑氧化物‑半导体‑场效应晶体管器件的沟道电流，计算MOSFET器件的栅极面电荷密度，基于栅极面电荷密度使用朗道‑哈拉特尼科夫方程进行计算，得到整个铁电器件的总栅压，基于沟道电流和总栅压构建整个铁电负电容晶体管的电路仿真模型。本发明所提出的电路仿真模型完全基于基本半导体器件物理方程，且具有显式的数学表达式，从而解决现有的建模方法精度较低和仿真速度慢的问题。

《一种铁电负电容晶体管的电路仿真模型及建模方法》是一发明专利，专利号为 2022113828787，当前法律状态为已下证，由广西师范大学提出申请，发明人为蒋春生;陈红英;李晨阳;忻星辰，申请日期为2022-11-07，公开（公告）日期为2026-05-29，国际专利分类号（IPC）为 G06F 30/39 (2020.01)，高新资质：未报高企，所属技术领域包括：（铁电负电容晶体管、电路仿真模型、半导体器件、微电子、晶体管建模、集成电路、电子设计自动化、器件物理、芯片设计、EDA工具）。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种铁电负电容晶体管的电路仿真模型及建模方法，包括基于漏极和源极的偏压计算源极面电荷密度和漏极面电荷密度，基于源极面电荷密度和漏极面电荷密度得到基准金属‑氧化物‑半导体‑场效应晶体管器件的沟道电流，计算MOSFET器件的栅极面电荷密度，基于栅极面电荷密度使用朗道‑哈拉特尼科夫方程进行计算，得到整个铁电器件的总栅压，基于沟道电流和总栅压构建整个铁电负电容晶体管的电路仿真模型。本发明所提出的电路仿真模型完全基于基本半导体器件物理方程，且具有显式的数学表达式，从而解决现有的建模方法精度较低和仿真速度慢的问题。

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