一种双金属氧化物半导体气敏材料、制备方法及其应用

本发明公开了一种双金属氧化物半导体气敏材料、制备方法及其应用，涉及气体传感器技术领域，该材料是氧化铈（CeO

《一种双金属氧化物半导体气敏材料、制备方法及其应用》是一发明专利，专利号为 202410488715X，当前法律状态为已下证，由电子科技大学长三角研究院（湖州）提出申请，发明人为陈思;方陆;张思博;黄旭;戴馨怡;董帆，申请日期为2024-04-23，公开（公告）日期为2024-10-15，国际专利分类号（IPC）为 G01N 27/12 (2006.01)，高新资质：未报高企，所属技术领域包括：传感器技术气体监测甲醛检测气体传感器汽敏材料检测气体功能材料气体检测化工涂装印刷制药车间泄漏监测、防爆、环保MEMS 传感器危化品石油石化呼气环境监测气敏材料纳米氧化物有毒气体检测 气体密度金属材料 半导体材料 半导体气体传感器、气敏元件性能测试、气体检测、仪器仪表、测试 气敏材料，功能材料，气体检测，甲醛检测，室内空气检测，气体泄漏，气体传感器，环境检测 气敏材料，功能材料，气体检测，甲醛检测，室内空气检测，气体泄漏，气体传感器，环境检测有害气体 气体。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明公开了一种双金属氧化物半导体气敏材料、制备方法及其应用，涉及气体传感器技术领域，该材料是氧化铈（CeO

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