一种功率型紫外LED器件(23年授权)
本申请公开了一种功率型紫外LED器件,包括散热基板以及倒装在所述散热基板上的LED芯片,所述散热基板包括底座,所述底座表面固定有至少一层由氮化铝层和金属布线层组成的复合层,所述复合层在垂直于所述底座表面的方向上开设有第一通孔,所述第一通孔内设置有与所述LED芯片并联且异相连接的外部静电保护模组。上述功率型紫外LED器件,不仅出光量更大、散热性能更优越,还能够减小封装及组装过程中静电释放对LED芯片的危害,并能够避免单一结构的静电保护二极管损坏后造成整体失效。
《一种功率型紫外LED器件(23年授权)》是一发明专利,专利号为 2017103436463,当前法律状态为已下证,由广东工业大学提出申请,发明人为何苗;杨思攀;黄波;王志成;王成民,申请日期为2017-05-16,公开(公告)日期为2023-11-14,国际专利分类号(IPC)为 H01L 33/64 (2010.01),高新资质:未报高企,所属技术领域包括:半导体、LED芯片、单晶硅、晶片、发光二极管、电子元器件、元件、LED灯光、LED照明、消毒灯、LED紫外灯、汽车灯、感应灯、UV杀菌、照明工程、紫外杀菌。该专利已下发证书,权利稳定,适合直接办理转让过户,是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更(过户)的一站式专利转让服务,专业顾问全程协助,确保交易合规、安全、高效。专利摘要:本申请公开了一种功率型紫外LED器件,包括散热基板以及倒装在所述散热基板上的LED芯片,所述散热基板包括底座,所述底座表面固定有至少一层由氮化铝层和金属布线层组成的复合层,所述复合层在垂直于所述底座表面的方向上开设有第一通孔,所述第一通孔内设置有与所述LED芯片并联且异相连接的外部静电保护模组。上述功率型紫外LED器件,不仅出光量更大、散热性能更优越,还能够减小封装及组装过程中静电释放对LED芯片的危害,并能够避免单一结构的静电保护二极管损坏后造成整体失效。
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