一种单晶硅片缺陷检测方法、装置、电子设备及介质

本申请涉及光伏技术领域，尤其涉及一种单晶硅片缺陷检测方法、装置、电子设备及介质，该方法包括：获取单晶硅片图像，单晶硅片图像中包括多条线痕；对单晶硅片图像进行划分，以得到至少两个子线痕区域；基于每一子线痕区域图像确定对应的线痕密集信息，并基于所有子线痕区域各自对应的线痕密集信息，确定偏离值；判断偏离值是否不大于预设偏离值；若是，则确定单晶硅片不存在线痕缺陷；否则，则确定单晶硅片存在线痕缺陷。本申请有效提高了单晶硅片线痕缺陷检测的准确度。

《一种单晶硅片缺陷检测方法、装置、电子设备及介质》是一发明专利，专利号为 2023108947687，当前法律状态为已下证，由山西东明光伏科技有限公司提出申请，发明人为刘伟，申请日期为2023-07-20，公开（公告）日期为2026-02-17，国际专利分类号（IPC）为 G06T 7/00 (2017.01)，高新资质：未报高企，所属技术领域包括：26年下证硅片光伏半导体半导体硅硅片晶体芯片电路板集成电路pcb板。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本申请涉及光伏技术领域，尤其涉及一种单晶硅片缺陷检测方法、装置、电子设备及介质，该方法包括：获取单晶硅片图像，单晶硅片图像中包括多条线痕；对单晶硅片图像进行划分，以得到至少两个子线痕区域；基于每一子线痕区域图像确定对应的线痕密集信息，并基于所有子线痕区域各自对应的线痕密集信息，确定偏离值；判断偏离值是否不大于预设偏离值；若是，则确定单晶硅片不存在线痕缺陷；否则，则确定单晶硅片存在线痕缺陷。本申请有效提高了单晶硅片线痕缺陷检测的准确度。

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