MEMS压电传感器系统三维封装结构及其散热方法

本发明公开了MEMS压电传感器系统三维封装结构及其散热方法，主要由盖帽、表面微结构、铜环、圆柱阵列以及置于盖帽内的水平延展平台、水平网状结构、陶瓷基板、MEMS芯片、压电薄膜、微型温度传感器、焊球和ASIC芯片组成。本发明将ASIC芯片区域的热量经水平网状结构和水平延展平台向盖帽水平传递；水平延展平台上垂直焊接的圆柱阵列使ASIC芯片区域的热量向上传导至铜环，铜环上焊接的表面微结构增加盖帽上表面的对流换热面积，加快对流换热效率；其中，MEMS芯片的环槽内位于ASIC芯片区域上方粘接的微型温度传感器对ASIC芯片区域的温度进行实时监测。

《MEMS压电传感器系统三维封装结构及其散热方法》是一发明专利，专利号为 202310287939X，当前法律状态为已下证，由杭州电子科技大学提出申请，发明人为李蓉;吴占彬;汪子悦;陆伟;翁佳豪;唐仁凯;张巨勇，申请日期为2023-03-23，公开（公告）日期为2025-07-25，国际专利分类号（IPC）为 B81B 7/02 (2006.01)，高新资质：未报高企，所属技术领域包括：封装工艺。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明公开了MEMS压电传感器系统三维封装结构及其散热方法，主要由盖帽、表面微结构、铜环、圆柱阵列以及置于盖帽内的水平延展平台、水平网状结构、陶瓷基板、MEMS芯片、压电薄膜、微型温度传感器、焊球和ASIC芯片组成。本发明将ASIC芯片区域的热量经水平网状结构和水平延展平台向盖帽水平传递；水平延展平台上垂直焊接的圆柱阵列使ASIC芯片区域的热量向上传导至铜环，铜环上焊接的表面微结构增加盖帽上表面的对流换热面积，加快对流换热效率；其中，MEMS芯片的环槽内位于ASIC芯片区域上方粘接的微型温度传感器对ASIC芯片区域的温度进行实时监测。

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