一种氧掺杂二硒化钯材料、制备方法及其在制备光电探测器中的应用

本发明提供了一种氧掺杂二硒化钯材料的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：先通过电子束蒸发镀膜仪，在真空腔体内利用电子束加热蒸发的方式使得Pd蒸发到倒置在上方的Si/SiO

《一种氧掺杂二硒化钯材料、制备方法及其在制备光电探测器中的应用》是一发明专利，专利号为 2023115742569，当前法律状态为已下证，由济南大学提出申请，发明人为逄金波;侯崇洋;刘瑞;王慧;秦燕;李梦娜;刘宏;周伟家，申请日期为2023-11-23，公开（公告）日期为2024-06-28，国际专利分类号（IPC）为 H01L 31/18 (2006.01)，高新资质：未报高企，所属技术领域包括：光电材料、氧掺杂二硒化钯、PdSe₂掺杂改性、二维半导体光电材料、掺杂二维硒化物、光电探测材料、氧掺杂二维材料、窄带隙二维半导体、光电探测器活性材料、改性二硒化钯、二维光电基材、掺杂硒化物半导体、红外光电材料、二维半导体光响应材料、光电探测活性层材料。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明提供了一种氧掺杂二硒化钯材料的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：先通过电子束蒸发镀膜仪，在真空腔体内利用电子束加热蒸发的方式使得Pd蒸发到倒置在上方的Si/SiO

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