基于二硒化钨的微型压阻式应力传感器

本发明涉及压阻式应力传感器技术领域，提出了基于二硒化钨的微型压阻式应力传感器，包括底座，所述底座的上方设置有二硒化钨层，所述二硒化钨层底部的左右两侧连接有电极，所述二硒化钨层的上方设置有陶瓷绝缘层，所述陶瓷绝缘层的顶部安装有承重层，所述承重层的左右两侧设置有第一导电片，所述承重层的中间安装有电源，所述电源的左右两侧连接有导电板，所述导电板远离所述电源的一侧与所述第一导电片相连，所述底座顶部的右侧固定连接有第一侧板。通过上述技术方案，解决了现有的现有的压阻式应力传感器不能够在不影响支撑效果的同时延伸顶部支撑范围，而且不能够在受到侧向力时分区域发出警报或者整体性发出警报的问题。

《基于二硒化钨的微型压阻式应力传感器》是一发明专利，专利号为 2023107987210，当前法律状态为已下证，由济南大学提出申请，发明人为逄金波;侯崇洋;刘瑞;刘宏;周伟家，申请日期为2023-06-30，公开（公告）日期为2024-02-20，国际专利分类号（IPC）为 G01L 1/18 (2006.01)，所属技术领域包括：微纳传感、二硒化钨压阻传感器、二维材料应力传感、微型压阻器件、WSe₂应力传感器、微应力检测器件、二维半导体压阻传感、微型力学传感、压阻式微传感器、二维材料力学传感器、微应变检测器件、二硒化钨传感器件、微型应力检测、二维压阻传感、微纳力学传感器件。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明涉及压阻式应力传感器技术领域，提出了基于二硒化钨的微型压阻式应力传感器，包括底座，所述底座的上方设置有二硒化钨层，所述二硒化钨层底部的左右两侧连接有电极，所述二硒化钨层的上方设置有陶瓷绝缘层，所述陶瓷绝缘层的顶部安装有承重层，所述承重层的左右两侧设置有第一导电片，所述承重层的中间安装有电源，所述电源的左右两侧连接有导电板，所述导电板远离所述电源的一侧与所述第一导电片相连，所述底座顶部的右侧固定连接有第一侧板。通过上述技术方案，解决了现有的现有的压阻式应力传感器不能够在不影响支撑效果的同时延伸顶部支撑范围，而且不能够在受到侧向力时分区域发出警报或者整体性发出警报的问题。

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