一种ZnO紫外光电探测器及制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

本发明属于紫外探测器技术领域，具体涉及一种ZnO紫外光电探测器及制备方法。本发明包括从下至上依次设置的ITO玻璃衬底、n型低维ZnO纳米线结构层、Mg或Cd掺ZnO薄膜层、p型低维ZnO纳米线结构层和上电极层。本发明在p层和n层之间加入Mg或Cd掺ZnO薄膜层可有效拓宽p‑n结耗尽区，同时Mg掺ZnO不但与纯ZnO导电性相似且禁带宽度连续可调，构成自驱动型紫外光电探测器结构，能够有效解决现有的p‑n同质结ZnO紫外光电探测器的p‑n结耗尽区较窄的问题，同时在低维p型低维ZnO纳米线结构层表面沉积Ag纳米颗粒，提高光生电流的产生以及光生载流子的输运最终制备出具有高光响应度紫外光电探测器。

《一种ZnO紫外光电探测器及制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 2022112858713，当前法律状态为已下证，由江苏理工学院提出申请，发明人为赵艳芳;李鹏;包凯琦;庄光亮;封士锐;肖原彬，申请日期为2022-10-20，公开（公告）日期为2026-02-27，国际专利分类号（IPC）为 H10F 77/123 (2025.01)，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明属于紫外探测器技术领域，具体涉及一种ZnO紫外光电探测器及制备方法。本发明包括从下至上依次设置的ITO玻璃衬底、n型低维ZnO纳米线结构层、Mg或Cd掺ZnO薄膜层、p型低维ZnO纳米线结构层和上电极层。本发明在p层和n层之间加入Mg或Cd掺ZnO薄膜层可有效拓宽p‑n结耗尽区，同时Mg掺ZnO不但与纯ZnO导电性相似且禁带宽度连续可调，构成自驱动型紫外光电探测器结构，能够有效解决现有的p‑n同质结ZnO紫外光电探测器的p‑n结耗尽区较窄的问题，同时在低维p型低维ZnO纳米线结构层表面沉积Ag纳米颗粒，提高光生电流的产生以及光生载流子的输运最终制备出具有高光响应度紫外光电探测器。

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