一种PDI纳米片表面生长ZnSe纳米颗粒的复合材料、制备方法及其应用(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)

所属领域:发明专利 · 已下证
发明专利
专利号2025116779112
专利类型发明专利
专利状态已下证
专利领域
专利价格****
公开(公告)号2025116779112
IPC分类B01J 31/02 (2006.01)
申请日2025-11-17
公开日2026-03-20
申请人江苏理工学院
发明人肖艳;蒋银花;贺沁婷;贡杰
专利权人江苏理工学院
授权公告号CN121130944B
高企状态未报高企

专利摘要

本发明属于纳米复合材料的制备及环境保护的应用领域,公开了一种PDI纳米片表面生长ZnSe纳米颗粒的复合材料、制备方法及其应用。该方法采用高温焙烧和乳液聚合制备PDI纳米片,再经溶剂热法原位负载ZnSe纳米颗粒,成功构筑出一种Z型PDI/ZnSe复合光催化材料,用于光催化制备双氧水及污水中六价铬离子的光催化还原。由于界面Z型能带结构,内建电势的驱动作用显著抑制了光生载流子的复合行为,使光生电子和空穴维持了其最强的氧化和还原特性,显著增强光催化活性。本发明所用原料来源广泛、易获取,条件温和可控,重复性与可行性好,在解决水体污染及合成高附加值化学品方面,具备工业化和规模化应用前景。


专利解读

《一种PDI纳米片表面生长ZnSe纳米颗粒的复合材料、制备方法及其应用(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)》是一发明专利,专利号为 2025116779112,当前法律状态为已下证,由江苏理工学院提出申请,发明人为肖艳;蒋银花;贺沁婷;贡杰,申请日期为2025-11-17,公开(公告)日期为2026-03-20,国际专利分类号(IPC)为 B01J 31/02 (2006.01),高新资质:未报高企。该专利已下发证书,权利稳定,适合直接办理转让过户,是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更(过户)的一站式专利转让服务,专业顾问全程协助,确保交易合规、安全、高效。专利摘要:本发明属于纳米复合材料的制备及环境保护的应用领域,公开了一种PDI纳米片表面生长ZnSe纳米颗粒的复合材料、制备方法及其应用。该方法采用高温焙烧和乳液聚合制备PDI纳米片,再经溶剂热法原位负载ZnSe纳米颗粒,成功构筑出一种Z型PDI/ZnSe复合光催化材料,用于光催化制备双氧水及污水中六价铬离子的光催化还原。由于界面Z型能带结构,内建电势的驱动作用显著抑制了光生载流子的复合行为,使光生电子和空穴维持了其最强的氧化和还原特性,显著增强光催化活性。本发明所用原料来源广泛、易获取,条件温和可控,重复性与可行性好,在解决水体污染及合成高附加值化学品方面,具备工业化和规模化应用前景。


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