具有β相网状拓扑结构的聚偏氟乙烯纳米薄膜的制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

本发明公开了一种具有β相网状拓扑结构的聚偏氟乙烯纳米薄膜的制备方法。该方法利用旋涂法制备聚偏氟乙烯纳米薄膜，对其进行溶剂蒸气退火得到具有β相网状拓扑结构的聚偏氟乙烯纳米薄膜，通过改变薄膜厚度、退火时间和溶液温度可调控聚偏氟乙烯纳米薄膜中网状拓扑结构的网格密度和高度。本发明在纳米薄膜中实现了可靠性较高的聚偏氟乙烯网状拓扑结构，有望拓展聚偏氟乙烯在传感器与换能器等方面的应用，操作简单且成本较低，对工业生产具有很好的潜在经济效益。

《具有β相网状拓扑结构的聚偏氟乙烯纳米薄膜的制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 202110653438X，当前法律状态为已下证，由郑州大学提出申请，发明人为王冰花;陈静波;张彬;周子渊;张智培，申请日期为2021-06-11，公开（公告）日期为2023-08-29，国际专利分类号（IPC）为 C08J 7/00 (2006.01)，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明公开了一种具有β相网状拓扑结构的聚偏氟乙烯纳米薄膜的制备方法。该方法利用旋涂法制备聚偏氟乙烯纳米薄膜，对其进行溶剂蒸气退火得到具有β相网状拓扑结构的聚偏氟乙烯纳米薄膜，通过改变薄膜厚度、退火时间和溶液温度可调控聚偏氟乙烯纳米薄膜中网状拓扑结构的网格密度和高度。本发明在纳米薄膜中实现了可靠性较高的聚偏氟乙烯网状拓扑结构，有望拓展聚偏氟乙烯在传感器与换能器等方面的应用，操作简单且成本较低，对工业生产具有很好的潜在经济效益。

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