一种SrHfS3掺Eu发光薄膜及其制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）
所属领域：发明专利 · 已下证
发明专利专利号2024101789507
专利类型发明专利
专利状态已下证
专利领域
专利价格****
公开（公告）号2024101789507
IPC分类C23C 14/08 (2006.01)
申请日2024-02-17
公开日2025-06-17
申请人郑州大学
发明人韩炎兵;方娇;梁雨润;袁亦方;张晴;史志锋
专利权人郑州大学
授权公告号CN118062883B
高企状态未报高企
专利摘要
本发明涉及发光二极管器件中的发光薄膜领域，硫化物钙钛矿虽然具有高稳定性、良好导电性、适宜稀土发光离子掺杂而发光等优势，但是存在稀土掺杂的硫化物钙钛矿薄膜制备困难等问题。本发明公开了一种SrHfS
专利解读
《一种SrHfS3掺Eu发光薄膜及其制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 2024101789507，当前法律状态为已下证，由郑州大学提出申请，发明人为韩炎兵;方娇;梁雨润;袁亦方;张晴;史志锋，申请日期为2024-02-17，公开（公告）日期为2025-06-17，国际专利分类号（IPC）为 C23C 14/08 (2006.01)，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明涉及发光二极管器件中的发光薄膜领域，硫化物钙钛矿虽然具有高稳定性、良好导电性、适宜稀土发光离子掺杂而发光等优势，但是存在稀土掺杂的硫化物钙钛矿薄膜制备困难等问题。本发明公开了一种SrHfS
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