一种非易失性ZnO薄膜忆阻器及其制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

本发明属于微电子器件技术领域，具体涉及一种非易失性ZnO薄膜忆阻器及其制备方法。该器件结构包括：采用溶胶‑凝胶法制备的ZnO薄膜中间阻变层，FTO作为器件底电极，以及采用磁控溅射镀膜技术沉积的电极层构成器件的上电极。本器件的自整流特性能够很好的解决三维阵列中出现的漏电流问题，同时也避免了器件附加额外整流器件造成高成本、结构复杂及不能实现微型化等问题，对于忆阻器高密度多值存储的实现提供了一种简单、高效的解决方案。本ZnO薄膜忆阻器采用W/ZnO/FTO器件结构，通过有序调控器件的限制电流，实现了器件非易失性自整流多值存储的可控调制，在下一代非易失性高密度存储器的应用方面具有重要的发展前景。

《一种非易失性ZnO薄膜忆阻器及其制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 2022109918494，当前法律状态为已下证，由广西科技大学提出申请，发明人为余志强;陈诚;镇丹;谢泉;肖清泉;高廷红;陈茜;张喨;韩旭;徐佳敏;曲信儒，申请日期为2022-08-17，公开（公告）日期为2026-02-13，国际专利分类号（IPC）为 H10N 70/20 (2023.01)，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明属于微电子器件技术领域，具体涉及一种非易失性ZnO薄膜忆阻器及其制备方法。该器件结构包括：采用溶胶‑凝胶法制备的ZnO薄膜中间阻变层，FTO作为器件底电极，以及采用磁控溅射镀膜技术沉积的电极层构成器件的上电极。本器件的自整流特性能够很好的解决三维阵列中出现的漏电流问题，同时也避免了器件附加额外整流器件造成高成本、结构复杂及不能实现微型化等问题，对于忆阻器高密度多值存储的实现提供了一种简单、高效的解决方案。本ZnO薄膜忆阻器采用W/ZnO/FTO器件结构，通过有序调控器件的限制电流，实现了器件非易失性自整流多值存储的可控调制，在下一代非易失性高密度存储器的应用方面具有重要的发展前景。

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