一种自整流ZnO薄膜忆阻器及其制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

本发明公开了一种自整流ZnO薄膜忆阻器及其制备方法，该器件阻变层由二元金属氧化物ZnO构成，底电极由ITO构成，金属顶电极由W构成，其中，器件的ZnO薄膜阻变层采用操作简单、高效的匀胶法工艺制备，而器件的顶电极则通过磁控溅射镀膜技术设计。本发明在器件架构物理层面，在不额外引入串联整流器件、非线性电阻的情况下，忆阻器可以有效克服串扰电流对器件稳定性的不利影响，在器件的高密度三维集成方面具有重要的应用潜力。在器件性能层面，通过对外加物理场的有序调控可以实现单个器件存储单元多阻态的高密度存储，具有高稳定性与非易失性的自整流多值阻变存储特性，在下一代非易失性高密度存储器方面具有重要的应用前景。

《一种自整流ZnO薄膜忆阻器及其制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 2022109880707，当前法律状态为已下证，由广西科技大学提出申请，发明人为余志强;陈诚;镇丹;谢泉;高廷红;肖清泉;陈茜;刘宝生;徐佳敏;韩旭;曲信儒，申请日期为2022-08-17，公开（公告）日期为2026-02-13，国际专利分类号（IPC）为 H10N 70/20 (2023.01)，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明公开了一种自整流ZnO薄膜忆阻器及其制备方法，该器件阻变层由二元金属氧化物ZnO构成，底电极由ITO构成，金属顶电极由W构成，其中，器件的ZnO薄膜阻变层采用操作简单、高效的匀胶法工艺制备，而器件的顶电极则通过磁控溅射镀膜技术设计。本发明在器件架构物理层面，在不额外引入串联整流器件、非线性电阻的情况下，忆阻器可以有效克服串扰电流对器件稳定性的不利影响，在器件的高密度三维集成方面具有重要的应用潜力。在器件性能层面，通过对外加物理场的有序调控可以实现单个器件存储单元多阻态的高密度存储，具有高稳定性与非易失性的自整流多值阻变存储特性，在下一代非易失性高密度存储器方面具有重要的应用前景。

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