一种基于三元溶剂制备Dion-Jacobson型准二维钙钛矿薄膜的方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

本发明公开了一种基于三元溶剂制备Dion‑Jacobson型准二维钙钛矿薄膜的方法。本发明以N，N‑二甲基酰胺，二甲基亚砜和第三种具有高沸点、低饱和蒸气压的溶剂组成三元溶剂，将钙钛矿前驱体材料及添加剂加入该三元溶剂中，并经过液相沉积法制成湿膜，再经溶剂淬灭工艺预结晶；最后经退火处理后得到DJ型准二维钙钛矿薄膜。与单一溶剂体系或二元溶剂体系相比，三元溶剂体系有利于缓解钙钛矿薄膜的结晶速度，基于该体系制得的DJ型准二维钙钛矿薄膜，具有结晶度更高、晶体取向垂直于衬底以及梯度相分布的特点，使得钙钛矿薄膜具有较高的光电转换效率。

《一种基于三元溶剂制备Dion-Jacobson型准二维钙钛矿薄膜的方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 2021110656002，当前法律状态为已下证，由暨南大学提出申请，发明人为郭飞;陈乙郡;麦耀华，申请日期为2021-09-10，公开（公告）日期为2024-10-01，国际专利分类号（IPC）为 H10K 85/50 (2023.01)，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明公开了一种基于三元溶剂制备Dion‑Jacobson型准二维钙钛矿薄膜的方法。本发明以N，N‑二甲基酰胺，二甲基亚砜和第三种具有高沸点、低饱和蒸气压的溶剂组成三元溶剂，将钙钛矿前驱体材料及添加剂加入该三元溶剂中，并经过液相沉积法制成湿膜，再经溶剂淬灭工艺预结晶；最后经退火处理后得到DJ型准二维钙钛矿薄膜。与单一溶剂体系或二元溶剂体系相比，三元溶剂体系有利于缓解钙钛矿薄膜的结晶速度，基于该体系制得的DJ型准二维钙钛矿薄膜，具有结晶度更高、晶体取向垂直于衬底以及梯度相分布的特点，使得钙钛矿薄膜具有较高的光电转换效率。

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