p-NiO为盖层的GaN单芯片白光发光管及其制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）
所属领域：发明专利 · 已下证
发明专利专利号2022112456999
专利类型发明专利
专利状态已下证
专利领域
专利价格****
公开（公告）号2022112456999
IPC分类H10H 20/822 (2025.01)
申请日2022-10-12
公开日2025-01-17
申请人吉林大学
发明人杜国同;张源涛;邓高强
专利权人吉林大学
授权公告号CN115458656B
高企状态未报高企
专利摘要
一种p‑NiO为盖层的GaN单芯片白光发光管及其制备方法，属于半导体发光器件及其制备技术领域。器件依次由衬底、GaN缓冲层、n型掺Si的GaN电子注入层、多量子阱有源发光层、p型掺Mg的Al
专利解读
《p-NiO为盖层的GaN单芯片白光发光管及其制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 2022112456999，当前法律状态为已下证，由吉林大学提出申请，发明人为杜国同;张源涛;邓高强，申请日期为2022-10-12，公开（公告）日期为2025-01-17，国际专利分类号（IPC）为 H10H 20/822 (2025.01)，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：一种p‑NiO为盖层的GaN单芯片白光发光管及其制备方法，属于半导体发光器件及其制备技术领域。器件依次由衬底、GaN缓冲层、n型掺Si的GaN电子注入层、多量子阱有源发光层、p型掺Mg的Al
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