一种具有AlGaN/InGaN超晶格势垒层的量子阱LED及其制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）
发明专利一种具有AlGaN/InGaN超晶格势垒层的量子阱LED及其制备方法，属于半导体发光器件技术领域。从下至上依次由衬底、成核层、n型GaN层、具有AlGaN/InGaN超晶格势垒层的多量子阱有源层、电子阻挡层和p型GaN层组成，在p型层和n型层上分别设有上电极和下电极。电极由热蒸镀或电子束蒸发方法制备，其余各层通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法制备。本发明根据所需发光波长确定多量子阱中InGaN阱层的组分后，通过极化强度和禁带宽度的计算调控超晶格势垒层的组分，可以在保证势垒层禁带宽度大于阱层的条件下，减小阱层与势垒层的极化强度差值，从而降低量子阱中的极化电场强度，提高LED的发光性能。
《一种具有AlGaN/InGaN超晶格势垒层的量子阱LED及其制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 2023101947050，当前法律状态为已下证，由吉林大学提出申请，发明人为张源涛;关涛;邓高强;张立东;左长财，申请日期为2023-03-03，公开（公告）日期为2025-06-20，国际专利分类号（IPC）为 H10H 20/812 (2025.01)，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：一种具有AlGaN/InGaN超晶格势垒层的量子阱LED及其制备方法，属于半导体发光器件技术领域。从下至上依次由衬底、成核层、n型GaN层、具有AlGaN/InGaN超晶格势垒层的多量子阱有源层、电子阻挡层和p型GaN层组成，在p型层和n型层上分别设有上电极和下电极。电极由热蒸镀或电子束蒸发方法制备，其余各层通过金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法制备。本发明根据所需发光波长确定多量子阱中InGaN阱层的组分后，通过极化强度和禁带宽度的计算调控超晶格势垒层的组分，可以在保证势垒层禁带宽度大于阱层的条件下，减小阱层与势垒层的极化强度差值，从而降低量子阱中的极化电场强度，提高LED的发光性能。
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