RHBD-12T抗辐照SRAM存储单元、芯片、模块（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

本发明涉及RHBD‑12T抗辐照SRAM存储单元、芯片、模块。基于源隔离与极性加固技术的RHBD‑12T抗辐照SRAM存储单元包括NMOS晶体管N1～N8和PMOS晶体管P1～P4，晶体管P1～P4和N3、N4作为上拉管，晶体管N1、N2、N5、N6作为下拉管，晶体管N1和P3构成一个反相器，晶体管N2和P4构成另一个反相器，两个反相器交叉耦合；两个主存储节点Q与QB通过N7与N8分别与位线BL和位线BLB相连，晶体管N7、N8由字线WL控制。本发明通过只设置两个敏感存储节点，大大减小了电路的敏感节点数量与敏感区域的面积，从而提高了电路的抗辐射性能。

《RHBD-12T抗辐照SRAM存储单元、芯片、模块（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 2022108183607，当前法律状态为已下证，由安徽大学提出申请，发明人为赵强;程伟;彭春雨;卢文娟;吴秀龙;蔺智挺;陈军宁，申请日期为2022-07-12，公开（公告）日期为2025-08-19，国际专利分类号（IPC）为 G11C 11/412 (2006.01)，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明涉及RHBD‑12T抗辐照SRAM存储单元、芯片、模块。基于源隔离与极性加固技术的RHBD‑12T抗辐照SRAM存储单元包括NMOS晶体管N1～N8和PMOS晶体管P1～P4，晶体管P1～P4和N3、N4作为上拉管，晶体管N1、N2、N5、N6作为下拉管，晶体管N1和P3构成一个反相器，晶体管N2和P4构成另一个反相器，两个反相器交叉耦合；两个主存储节点Q与QB通过N7与N8分别与位线BL和位线BLB相连，晶体管N7、N8由字线WL控制。本发明通过只设置两个敏感存储节点，大大减小了电路的敏感节点数量与敏感区域的面积，从而提高了电路的抗辐射性能。

海量优质专利即买即用，四大核心优势助您弯道超车：
🏆 拿资质，享红利：高企认定、专精特新必备！轻松获取政府补贴、税收减免，招投标直接加分！
💎 增信誉，融资金：支持实缴注册资金，彰显企业硬实力；支持专利质押贷款，盘活现金流，扩张不缺钱！
🔥 强背书，防抄袭：印上“专利产品”，客户更信赖！构建技术壁垒，把竞争对手挡在门外，稳占市场份额！
🚀 省时间，快变现：告别漫长研发与高风险！优质专利即买即用，让技术立刻变成真金白银的利润！