一种RHC-16T抗辐射SRAM单元、芯片和模块（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

本发明涉及一种RHC‑16T抗辐射SRAM单元、芯片和模块。一种基于极性加固技术的RHC‑16T抗辐射SRAM单元包括四个PMOS晶体管P1～P4和十二个NMOS晶体管N1～N12；位线BL与N9和N11源极电连接，位线BLB与N10和N12源极电连接；字线WL与N9、N10、N11和N12栅极电连接；N9的漏极与P2的漏极电连接，N10的漏极与P1的漏极电连接，N11的漏极与N3的漏极电连接，N12的漏极与N4的漏极电连接。本发明通过在P3、N7和P4、N8中间分别加入N3和N4来阻断反馈环路，提高单元的稳定性，令单元有着就较快的读写速度，较高的稳定性以及较强的抗辐射性能。

《一种RHC-16T抗辐射SRAM单元、芯片和模块（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 2022109424051，当前法律状态为已下证，由安徽大学提出申请，发明人为郝礼才;董汉文;程伟;张茵;赵强;彭春雨;卢文娟;高珊;蔺智挺;吴秀龙，申请日期为2022-08-08，公开（公告）日期为2026-03-20，国际专利分类号（IPC）为 G11C 11/411 (2006.01)，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明涉及一种RHC‑16T抗辐射SRAM单元、芯片和模块。一种基于极性加固技术的RHC‑16T抗辐射SRAM单元包括四个PMOS晶体管P1～P4和十二个NMOS晶体管N1～N12；位线BL与N9和N11源极电连接，位线BLB与N10和N12源极电连接；字线WL与N9、N10、N11和N12栅极电连接；N9的漏极与P2的漏极电连接，N10的漏极与P1的漏极电连接，N11的漏极与N3的漏极电连接，N12的漏极与N4的漏极电连接。本发明通过在P3、N7和P4、N8中间分别加入N3和N4来阻断反馈环路，提高单元的稳定性，令单元有着就较快的读写速度，较高的稳定性以及较强的抗辐射性能。

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