RHBD-14T抗辐照SRAM存储单元、芯片、模块（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

本发明涉及RHBD‑14T抗辐照SRAM存储单元、芯片、模块。基于源隔离技术的RHBD‑14T抗辐照SRAM存储单元包括PMOS晶体管P1～6和NMOS晶体管N0～7；P4和P3、P2和P5交叉耦合，两个主存储节点Q与QN通过N4与N5分别与位线BL和BLB相连，两个冗余存储节点S0与S1通过N6与N7分别与位线BL和BLB相连，N4～N7由字线WL控制，P1的源极和P6的源极共接VDD，N0的源极、N1的源极、N3的源极和N2的源极共接地。本发明通过在空间粒子轰击敏感节点时采用源隔离技术，令其仅产生微弱电压脉冲，不影响其余晶体管的状态，提高SRAM存储单元的抗SEU能力。

《RHBD-14T抗辐照SRAM存储单元、芯片、模块（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 2022108177127，当前法律状态为已下证，由安徽大学提出申请，发明人为赵强;张茵;彭春雨;卢文娟;吴秀龙;蔺智挺;陈军宁，申请日期为2022-07-12，公开（公告）日期为2026-03-20，国际专利分类号（IPC）为 G11C 11/411 (2006.01)，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明涉及RHBD‑14T抗辐照SRAM存储单元、芯片、模块。基于源隔离技术的RHBD‑14T抗辐照SRAM存储单元包括PMOS晶体管P1～6和NMOS晶体管N0～7；P4和P3、P2和P5交叉耦合，两个主存储节点Q与QN通过N4与N5分别与位线BL和BLB相连，两个冗余存储节点S0与S1通过N6与N7分别与位线BL和BLB相连，N4～N7由字线WL控制，P1的源极和P6的源极共接VDD，N0的源极、N1的源极、N3的源极和N2的源极共接地。本发明通过在空间粒子轰击敏感节点时采用源隔离技术，令其仅产生微弱电压脉冲，不影响其余晶体管的状态，提高SRAM存储单元的抗SEU能力。

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