一种基于FeFET构建的可重构伊辛器、芯片（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

本发明涉及集成电路设计技术领域，公开了基于FeFET构建的可重构伊辛器、芯片。本发明提供了可重构伊辛器，包括：计算阵列部、自旋更新部。计算阵列部包括N列基于FeFET构建的伊辛计算列，支持灵活设定不同自旋之间的相互关系，能够实现对复杂不规则自旋网络的映射；本发明的架构支持同时计算多个自旋相互作用关系，并直接对电压比较以得到自旋结果，减少了时序开销及额外设置加法器的硬件开销；本发明依据伊辛模型基于FeFET进行阵列搭建，能够进一步减小硬件开销，并得益于FeFET的非易失性，能够长期保存相关系数、减少读写消耗。

《一种基于FeFET构建的可重构伊辛器、芯片（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 2025120168304，当前法律状态为已下证，由安徽大学提出申请，发明人为胡薇;盛思昊;李志豪;彭春雨;卢文娟;戴成虎;吴秀龙，申请日期为2025-12-30，公开（公告）日期为2026-03-24，国际专利分类号（IPC）为 G06F 30/3308 (2020.01)，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明涉及集成电路设计技术领域，公开了基于FeFET构建的可重构伊辛器、芯片。本发明提供了可重构伊辛器，包括：计算阵列部、自旋更新部。计算阵列部包括N列基于FeFET构建的伊辛计算列，支持灵活设定不同自旋之间的相互关系，能够实现对复杂不规则自旋网络的映射；本发明的架构支持同时计算多个自旋相互作用关系，并直接对电压比较以得到自旋结果，减少了时序开销及额外设置加法器的硬件开销；本发明依据伊辛模型基于FeFET进行阵列搭建，能够进一步减小硬件开销，并得益于FeFET的非易失性，能够长期保存相关系数、减少读写消耗。

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