基于FeFET的多功能存内计算单元、阵列和电路（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

本申请公开了一种基于FeFET的多功能存内计算单元、阵列和电路，涉及集成电路领域，该存内计算单元包括两个N型FeFET管F1和F2以及两个NMOS管M0和M1；F1和F2的栅极分别连接列输入线WL1和WL2，F1和F2的源极分别连接行输入线SL1和SL2；F1和F2的漏极、M0的源极和M1的栅极相连；M0的栅极和漏极分别连接使能端口SAE和输出线ML1，M1的漏极和源极分别连接输出线ML2和地线；其中，F1和F2均在自身的VGS>0时写入低阈值电压以及在自身的VGS<0时写入高阈值电压。在实现多种运算功能的同时，具有结构简单、不需要大量外围电路辅助且计算结果准确等技术效果。

《基于FeFET的多功能存内计算单元、阵列和电路（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 2025120359392，当前法律状态为已下证，由安徽大学提出申请，发明人为胡薇;吴迪;吴秀龙;李志豪;彭春雨;卢文娟;戴成虎，申请日期为2025-12-31，公开（公告）日期为2026-04-28，国际专利分类号（IPC）为 G11C 11/22 (2006.01)，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本申请公开了一种基于FeFET的多功能存内计算单元、阵列和电路，涉及集成电路领域，该存内计算单元包括两个N型FeFET管F1和F2以及两个NMOS管M0和M1；F1和F2的栅极分别连接列输入线WL1和WL2，F1和F2的源极分别连接行输入线SL1和SL2；F1和F2的漏极、M0的源极和M1的栅极相连；M0的栅极和漏极分别连接使能端口SAE和输出线ML1，M1的漏极和源极分别连接输出线ML2和地线；其中，F1和F2均在自身的VGS>0时写入低阈值电压以及在自身的VGS<0时写入高阈值电压。在实现多种运算功能的同时，具有结构简单、不需要大量外围电路辅助且计算结果准确等技术效果。

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