一种适用于R2R的杂化阴极界面层的有机太阳电池及其制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

本发明公开了一种适用于R2R的杂化阴极界面层的有机太阳电池及其制备方法。其中，所所述杂化阴极界面层为可交联有机聚合物材料和有机稠环N型材料制备而成；所述有机稠环N型材料为主体材料，所述可交联有机聚合物材料为掺杂材料。本发明通过将可交联有机聚合物材料部分掺杂到有机稠环N型材料中，借助可交联有机聚合物材料的交联特性来提高有机稠环N型材料的可耐溶剂侵蚀性；同时，经可交联有机聚合物材料掺杂改良后的杂化阴极界面层薄膜的厚度在10‑50nm范围内变化时，其器件性能在一定的范围内变化很小，表现出一定的厚度不敏感性，非常适用于以R2R为主的加工方式的工业化生产中，从而具有良好的应用前景。

《一种适用于R2R的杂化阴极界面层的有机太阳电池及其制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 2022107792576，当前法律状态为已下证，由桂林电子科技大学提出申请，发明人为蔡平;宋灿;丁玲;徐溢旋;赖铭擎，申请日期为2022-07-04，公开（公告）日期为2025-11-07，国际专利分类号（IPC）为 H10K 85/10 (2023.01)，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明公开了一种适用于R2R的杂化阴极界面层的有机太阳电池及其制备方法。其中，所所述杂化阴极界面层为可交联有机聚合物材料和有机稠环N型材料制备而成；所述有机稠环N型材料为主体材料，所述可交联有机聚合物材料为掺杂材料。本发明通过将可交联有机聚合物材料部分掺杂到有机稠环N型材料中，借助可交联有机聚合物材料的交联特性来提高有机稠环N型材料的可耐溶剂侵蚀性；同时，经可交联有机聚合物材料掺杂改良后的杂化阴极界面层薄膜的厚度在10‑50nm范围内变化时，其器件性能在一定的范围内变化很小，表现出一定的厚度不敏感性，非常适用于以R2R为主的加工方式的工业化生产中，从而具有良好的应用前景。

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