基于黑磷-氧化石墨烯量子点的薄膜、忆阻器及制备方法
发明专利本发明提供基于黑磷‑氧化石墨烯量子点的薄膜、忆阻器及制备方法，薄膜包括依次连接在一起的上层结构、中层结构和下层结构，上层结构和下层结构的材料均为氧化石墨烯纳米片，中层结构的材料为黑磷‑氧化石墨烯量子点复合物。上层结构和下层结构的氧化石墨烯纳米片可以很好的将中间层包覆住，这些氧化石墨烯纳米片中层结构上下表层的黑磷纳米片形成P‑C键。该薄膜制备简单，采用该薄膜制备的忆阻器，在自然环境中放置了3个月还能保持很好的性能。
《基于黑磷-氧化石墨烯量子点的薄膜、忆阻器及制备方法》是一发明专利，专利号为 2022103797763，当前法律状态为已下证，由陕西科技大学提出申请，发明人为尉国栋;袁帅;苏莹;丁利苹，申请日期为2022-04-12，公开（公告）日期为2025-06-10，国际专利分类号（IPC）为 H10N 70/20 (2023.01)，高新资质：未报高企，所属技术领域包括：集成半导体电路、忆阻器、类脑人工神经网络、边缘计算、感存算一体、存储芯片、微电子薄膜、量子计算。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明提供基于黑磷‑氧化石墨烯量子点的薄膜、忆阻器及制备方法，薄膜包括依次连接在一起的上层结构、中层结构和下层结构，上层结构和下层结构的材料均为氧化石墨烯纳米片，中层结构的材料为黑磷‑氧化石墨烯量子点复合物。上层结构和下层结构的氧化石墨烯纳米片可以很好的将中间层包覆住，这些氧化石墨烯纳米片中层结构上下表层的黑磷纳米片形成P‑C键。该薄膜制备简单，采用该薄膜制备的忆阻器，在自然环境中放置了3个月还能保持很好的性能。
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