一种多偏置信号控制多列岛的GaN功率器件

本发明属于功率半导体技术领域，尤其是涉及一种多偏置信号控制多列岛的GaN功率器件。本发明在PGaN栅增强型GaN HEMT器件结构的基础上在AlGaN势垒层表面增加多列岛，并且由偏置电路控制多列岛。器件正常的导通与关断与PGaN栅增强型GaN HEMT无异，并且由于P岛的存在，可以有效扩展耗尽区，从而提升器件耐压，使得本发明相较于传统PGaN栅增强型GaN HEMT器件在耐压上有提升。通过陷阱与电子和空穴的密度或浓度动态变化来控制偏置电路，由数字化偏置控制的多列岛可以向器件注入载流子，通过可控制的载流子注入、陷阱俘获来实现器件工作中的电荷动态补偿，从而达到实现抑制动态导通电阻退化的效果。

《一种多偏置信号控制多列岛的GaN功率器件》是一发明专利，专利号为 2024112569290，当前法律状态为已下证，由电子科技大学提出申请，发明人为孙瑞泽;袁文瀚;吴仁杰;马云飞;陈万军;张波，申请日期为2024-09-09，公开（公告）日期为2025-11-21，国际专利分类号（IPC）为 H10D 30/47 (2025.01)，高新资质：未报高企，所属技术领域包括：半导体器件、功率电子元件、氮化镓器件、多偏置调控、多列岛结构、宽禁带半导体、功率开关、高频器件、电力电子、芯片结构设计、高压半导体、电源变换、电子开关、半导体芯片、电力控制元件。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明属于功率半导体技术领域，尤其是涉及一种多偏置信号控制多列岛的GaN功率器件。本发明在PGaN栅增强型GaN HEMT器件结构的基础上在AlGaN势垒层表面增加多列岛，并且由偏置电路控制多列岛。器件正常的导通与关断与PGaN栅增强型GaN HEMT无异，并且由于P岛的存在，可以有效扩展耗尽区，从而提升器件耐压，使得本发明相较于传统PGaN栅增强型GaN HEMT器件在耐压上有提升。通过陷阱与电子和空穴的密度或浓度动态变化来控制偏置电路，由数字化偏置控制的多列岛可以向器件注入载流子，通过可控制的载流子注入、陷阱俘获来实现器件工作中的电荷动态补偿，从而达到实现抑制动态导通电阻退化的效果。

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