一种具有雪崩过流能力的GaN功率半导体器件

本发明属于功率半导体技术领域，尤其是涉及一种具有雪崩过流能力的新型GaN功率半导体器件。本发明由横向GaN器件与垂直GaN器件结合，在横向GaN结构的沟道下方放置垂直GaN结构。器件正常工作时，栅极施加正向偏压，漏源之间施加正向偏压，器件上方横向GaN结构导通，有电流通过，下方垂直GaN结构反偏，几乎无电流。当器件处于反向耐压状态时，上方横向GaN结构无导通电流，下方垂直GaN结构反偏同样无导通电流。随着漏源之间电压一直增加，下方垂直GaN结构发生雪崩击穿，反向耐压下电流主要通过下方GaN垂直结构从漏极流向源极，从而使本发明的新型GaN功率半导体器件具有雪崩击穿，并且相较于传统PGaN栅GaN HEMT器件耐压有所提升。

《一种具有雪崩过流能力的GaN功率半导体器件》是一发明专利，专利号为 2024112569303，当前法律状态为已下证，由电子科技大学提出申请，发明人为孙瑞泽;吴仁杰;王小明;马云飞;袁文瀚;陈万军;张波，申请日期为2024-09-09，公开（公告）日期为2025-10-03，国际专利分类号（IPC）为 H10D 30/47 (2025.01)，高新资质：未报高企，所属技术领域包括：半导体器件、功率电子元件、氮化镓器件、雪崩耐压、过流耐受、宽禁带半导体、电力电子、功率开关、高压器件、高频电子元件、电源芯片、电力变换、半导体芯片、耐冲击器件、电力控制元件。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明属于功率半导体技术领域，尤其是涉及一种具有雪崩过流能力的新型GaN功率半导体器件。本发明由横向GaN器件与垂直GaN器件结合，在横向GaN结构的沟道下方放置垂直GaN结构。器件正常工作时，栅极施加正向偏压，漏源之间施加正向偏压，器件上方横向GaN结构导通，有电流通过，下方垂直GaN结构反偏，几乎无电流。当器件处于反向耐压状态时，上方横向GaN结构无导通电流，下方垂直GaN结构反偏同样无导通电流。随着漏源之间电压一直增加，下方垂直GaN结构发生雪崩击穿，反向耐压下电流主要通过下方GaN垂直结构从漏极流向源极，从而使本发明的新型GaN功率半导体器件具有雪崩击穿，并且相较于传统PGaN栅GaN HEMT器件耐压有所提升。

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