一种谐振式InGaN量子阱集成微光机电加速度计装置及其制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

本发明公开了一种谐振式InGaN量子阱集成微光机电加速度计装置以及其制备方法，将硅基氮化物晶片作为载体，从下至上的结构依次为硅衬底层、氮化铝层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、InGaN量子阱层、p型氮化镓层，并在p型氮化镓层的上方设置p型电极，在n型氮化镓层边缘的上方设置n型电极。在本发明中，利用光刻刻蚀工艺和ICP刻蚀工艺在硅衬底上的氮化物材料制备出两个拥有不同形状的谐振梁探测器和月牙形LED，通过具有月牙形LED的发光汇聚到高灵敏度谐振梁，在加速度负载下，谐振梁接收到的光电流周期性变化，通过周期性的共振频率可反推出对应的加速度大小，使具有高灵敏度长直谐振梁的探测装置产生震荡，使之产生周期性变化的电流，感知加速度大小。

《一种谐振式InGaN量子阱集成微光机电加速度计装置及其制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 202411914380X，当前法律状态为已下证，由南京邮电大学提出申请，发明人为朱刚毅;颜新悦;陈奕彤;郭建勋;秦飞飞;王子轩;蔡志匡，申请日期为2024-12-24，公开（公告）日期为2025-10-10，国际专利分类号（IPC）为 G01P 15/093 (2006.01)，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明公开了一种谐振式InGaN量子阱集成微光机电加速度计装置以及其制备方法，将硅基氮化物晶片作为载体，从下至上的结构依次为硅衬底层、氮化铝层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、InGaN量子阱层、p型氮化镓层，并在p型氮化镓层的上方设置p型电极，在n型氮化镓层边缘的上方设置n型电极。在本发明中，利用光刻刻蚀工艺和ICP刻蚀工艺在硅衬底上的氮化物材料制备出两个拥有不同形状的谐振梁探测器和月牙形LED，通过具有月牙形LED的发光汇聚到高灵敏度谐振梁，在加速度负载下，谐振梁接收到的光电流周期性变化，通过周期性的共振频率可反推出对应的加速度大小，使具有高灵敏度长直谐振梁的探测装置产生震荡，使之产生周期性变化的电流，感知加速度大小。

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