Micro-LED器件（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）

本申请涉及半导体领域，具体地说，是涉及一种Micro‑LED器件，其通过将台面结构的侧壁设置为与衬底之间夹角小于90°的倾斜侧壁，以便于介质膜沉积，进而在侧壁表面形成由不同材料组成的多层光学增透层，实现侧壁出光增透，最终提高Micro‑LED器件的量子效率，同时还可达到侧壁钝化的效果；同时，通过限定相邻两个光学增透层的折射率差值，并在其构成的光学干涉腔体内设置荧光转换层，使得该荧光转换层能够有效吸收来自Micro‑LED器件内部的光子，并将其重新发射为更易出射的方向性光，从而提高光提取效率。该结构不仅有助于调控发射光的角度分布与频谱结构，还能借助光学干涉腔体的共振增强效应提升荧光转换效率，实现更强的出光能量与更好的色彩一致性。

《Micro-LED器件（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 2025112421866，当前法律状态为已下证，由苏州大学提出申请，发明人为曹冰;王紫薇;孙倜;许峰，申请日期为2025-09-02，公开（公告）日期为2025-12-02，国际专利分类号（IPC）为 H10H 20/84 (2025.01)，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本申请涉及半导体领域，具体地说，是涉及一种Micro‑LED器件，其通过将台面结构的侧壁设置为与衬底之间夹角小于90°的倾斜侧壁，以便于介质膜沉积，进而在侧壁表面形成由不同材料组成的多层光学增透层，实现侧壁出光增透，最终提高Micro‑LED器件的量子效率，同时还可达到侧壁钝化的效果；同时，通过限定相邻两个光学增透层的折射率差值，并在其构成的光学干涉腔体内设置荧光转换层，使得该荧光转换层能够有效吸收来自Micro‑LED器件内部的光子，并将其重新发射为更易出射的方向性光，从而提高光提取效率。该结构不仅有助于调控发射光的角度分布与频谱结构，还能借助光学干涉腔体的共振增强效应提升荧光转换效率，实现更强的出光能量与更好的色彩一致性。

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