一种Micro-LED器件制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）
发明专利本申请提供一种M i cro‑LED器件制备方法。该方法针对利用干法刻蚀制备Micro‑LED晶粒结构引发的产生侧壁损伤的问题进行改进。提出使用四甲基氢氧化铵化学腐蚀和侧壁钝化相结合的方式对其进行侧壁修复，能沿纵向腐蚀完M i cro‑LED侧壁的非晶区，沿横向M i cro‑LED结构破坏性较弱，腐蚀后的样品侧壁晶格完整且侧壁垂直；Micro‑LED晶粒形成之后，通过激光共聚焦显微镜与光致发光光谱相结合的光学评价方式对其进行早期性能评估，在封装之后对M i cro‑LED器件的电学性能进行测试，将电学性能测试结果与早期发光性能评估相对照。本申请实能有效处理M i cro‑LED侧壁损伤层，竖直化M i cro‑LED侧壁，解决干法刻蚀后侧壁倾斜导致的量子阱上下区域面积不一致的问题。
《一种Micro-LED器件制备方法（高校公示15天）（不包年费滞纳金）（需要二变）》是一发明专利，专利号为 2022107315647，当前法律状态为已下证，由苏州大学提出申请，发明人为曹冰;杨帆;蔡鑫，申请日期为2022-06-25，公开（公告）日期为2022-11-01，国际专利分类号（IPC）为 H01L33/00(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I;H01L33/24(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I，高新资质：未报高企。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本申请提供一种M i cro‑LED器件制备方法。该方法针对利用干法刻蚀制备Micro‑LED晶粒结构引发的产生侧壁损伤的问题进行改进。提出使用四甲基氢氧化铵化学腐蚀和侧壁钝化相结合的方式对其进行侧壁修复，能沿纵向腐蚀完M i cro‑LED侧壁的非晶区，沿横向M i cro‑LED结构破坏性较弱，腐蚀后的样品侧壁晶格完整且侧壁垂直；Micro‑LED晶粒形成之后，通过激光共聚焦显微镜与光致发光光谱相结合的光学评价方式对其进行早期性能评估，在封装之后对M i cro‑LED器件的电学性能进行测试，将电学性能测试结果与早期发光性能评估相对照。本申请实能有效处理M i cro‑LED侧壁损伤层，竖直化M i cro‑LED侧壁，解决干法刻蚀后侧壁倾斜导致的量子阱上下区域面积不一致的问题。
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