一种用于悬臂梁型SOI-MEMS器件的选择性电化学刻蚀方法

本发明提出了一种用于悬臂梁型SOI‑MEMS器件的选择性电化学刻蚀方法，是四电极电化学刻蚀方法在MEMS器件加工上的新应用，可以解决悬臂梁的释放和使用中出现的粘附问题。对悬臂梁型SOI‑MEMS器件进行释放后，采用选择性电化学刻蚀的方法对衬底层进行了刻蚀，而器件层不粗糙化处理，腐蚀埋藏氧化层的方法能增加电化学腐蚀处理层的粗糙度；电化学腐蚀后，释放HF蒸气的开关衬底层，开关的活动部分与基板的分离长度和间隙增大；随着粗糙度和间隙的增大，导致开关粘附的压力也大大增加。选择性电化学腐蚀可有效防止悬臂梁式开关或其他SOI‑MEMS器件的制造和使用中的粘附问题。

《一种用于悬臂梁型SOI-MEMS器件的选择性电化学刻蚀方法》是一发明专利，专利号为 2020110397412，当前法律状态为已下证，由江苏昊微纳科技服务有限公司提出申请，发明人为郝秀春;李继丰，申请日期为2020-09-28，公开（公告）日期为2021-01-26，国际专利分类号（IPC）为 B81B7/04(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I，高新资质：未报高企，所属技术领域包括：电子元件、晶片、光刻机、半导体。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明提出了一种用于悬臂梁型SOI‑MEMS器件的选择性电化学刻蚀方法，是四电极电化学刻蚀方法在MEMS器件加工上的新应用，可以解决悬臂梁的释放和使用中出现的粘附问题。对悬臂梁型SOI‑MEMS器件进行释放后，采用选择性电化学刻蚀的方法对衬底层进行了刻蚀，而器件层不粗糙化处理，腐蚀埋藏氧化层的方法能增加电化学腐蚀处理层的粗糙度；电化学腐蚀后，释放HF蒸气的开关衬底层，开关的活动部分与基板的分离长度和间隙增大；随着粗糙度和间隙的增大，导致开关粘附的压力也大大增加。选择性电化学腐蚀可有效防止悬臂梁式开关或其他SOI‑MEMS器件的制造和使用中的粘附问题。

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