一种铜锡硫（CTS）忆阻器及其制备方法（半导体）

本发明提供一种铜锡硫(CTS)忆阻器及其制备方法，由上至下包括：Al上电极，CTS‑PMMA阻变层，FTO下电极。通过传统水热法制备得到了CTS纳米颗粒，首次将CTS与PMMA复合并应用到忆阻器领域。实验结果发现，通过将CTS与PMMA混合，得到了阻变性能好，稳定性强的忆阻器件，而且控制阻变薄膜的厚度可以优化阻变性能。该忆阻器件具有结构简单、易制备、成本低、重复性好的优点，可为研发基于硫属化合物的忆阻器及其应用提供新思路。

《一种铜锡硫（CTS）忆阻器及其制备方法（半导体）》是一发明专利，专利号为 2022103862404，当前法律状态为已下证，由西北师范大学提出申请，发明人为李燕;董小飞;李思源;孙浩;赵雲;陈江涛，申请日期为2022-04-13，公开（公告）日期为2022-07-15，国际专利分类号（IPC）为 H01L51/40(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I，高新资质：未报高企，所属技术领域包括：半导体器件、集成电路、AI芯片、忆阻器、铜锡硫、CTS、阻变存储器、RRAM、类脑计算、神经形态、纳米材料、硫属化合物、PMMA、复合薄膜、水热法、非易失性存储、存算一体、低功耗、电子信息、高新材料。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明提供一种铜锡硫(CTS)忆阻器及其制备方法，由上至下包括：Al上电极，CTS‑PMMA阻变层，FTO下电极。通过传统水热法制备得到了CTS纳米颗粒，首次将CTS与PMMA复合并应用到忆阻器领域。实验结果发现，通过将CTS与PMMA混合，得到了阻变性能好，稳定性强的忆阻器件，而且控制阻变薄膜的厚度可以优化阻变性能。该忆阻器件具有结构简单、易制备、成本低、重复性好的优点，可为研发基于硫属化合物的忆阻器及其应用提供新思路。

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