一种PPy-GNS-CNT-PVA导电薄膜的制备方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)

所属领域:发明专利 · 已下证
发明专利
专利号2023110736896
专利类型发明专利
专利状态已下证
专利领域
专利价格****
公开(公告)号2023110736896
IPC分类C09D11/52(2014.01)I;C09D11/102(2014.01)I;C09D11/106(2014.01)I;C09D11/03(2014.01)I
申请日2023-08-24
公开日2025-11-04
申请人浙江理工大学
发明人邬松;沈青青;何海洋;邱方燚;李云杰;王涛;万军民
专利权人浙江理工大学
授权公告号CN117186699B
高企状态未报高企

专利摘要

本发明涉及导电薄膜制备的技术领域,公开了一种PPy‑GNS‑CNT‑PVA导电薄膜的制备方法,包括如下步骤:步骤1:采用十二烷基硫酸钠制备石墨烯与碳纳米管分散液;步骤2:在石墨烯与碳纳米管分散液中加入聚乙烯吡咯烷酮,超声处理过后进行磁力搅拌,而后加入蒸馏过的吡咯单体,再加入FeCl3溶液搅拌,制得油墨;步骤3:将油墨在水浴搅拌加热,再加入PVA粉末后继续搅拌,制得薄膜预涂材料;步骤4:将薄膜预涂材料直接涂覆成膜,制得PPy‑GNS‑CNT‑PVA导电薄膜。本发明采用吡咯的原位乳液聚合以及PVA作为导电填料的填充主体,并复合石墨烯和碳纳米管,所得薄膜的导电性和机械性能更好,生物相容性也较好。


专利解读

《一种PPy-GNS-CNT-PVA导电薄膜的制备方法(高校公示15天)(不包年费滞纳金)(需要二变)》是一发明专利,专利号为 2023110736896,当前法律状态为已下证,由浙江理工大学提出申请,发明人为邬松;沈青青;何海洋;邱方燚;李云杰;王涛;万军民,申请日期为2023-08-24,公开(公告)日期为2025-11-04,国际专利分类号(IPC)为 C09D11/52(2014.01)I;C09D11/102(2014.01)I;C09D11/106(2014.01)I;C09D11/03(2014.01)I,高新资质:未报高企。该专利已下发证书,权利稳定,适合直接办理转让过户,是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更(过户)的一站式专利转让服务,专业顾问全程协助,确保交易合规、安全、高效。专利摘要:本发明涉及导电薄膜制备的技术领域,公开了一种PPy‑GNS‑CNT‑PVA导电薄膜的制备方法,包括如下步骤:步骤1:采用十二烷基硫酸钠制备石墨烯与碳纳米管分散液;步骤2:在石墨烯与碳纳米管分散液中加入聚乙烯吡咯烷酮,超声处理过后进行磁力搅拌,而后加入蒸馏过的吡咯单体,再加入FeCl3溶液搅拌,制得油墨;步骤3:将油墨在水浴搅拌加热,再加入PVA粉末后继续搅拌,制得薄膜预涂材料;步骤4:将薄膜预涂材料直接涂覆成膜,制得PPy‑GNS‑CNT‑PVA导电薄膜。本发明采用吡咯的原位乳液聚合以及PVA作为导电填料的填充主体,并复合石墨烯和碳纳米管,所得薄膜的导电性和机械性能更好,生物相容性也较好。


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