一种基于应变硅技术的铁电场效应晶体管及其制备方法

本发明公开了一种基于应变硅技术的铁电场效应晶体管及其制备方法，该铁电场效应晶体管包括：第一掺杂类型的Si衬底；第二掺杂类型的漏区和源区，位于Si衬底的两端内，且其上表面均与Si衬底的上表面齐平；SiO2绝缘层，位于Si衬底上，且与漏区和源区接触；HZO铁电介质层，位于SiO2绝缘层上；栅电极，位于HZO铁电介质层上；源电极和漏电极，分别位于部分漏区和部分源区上；SiN层，位于剩余部分的漏区、剩余部分的源区、栅电极、源电极和漏电极上，以及SiO2绝缘层、HZO铁电介质层、栅电极、源电极和漏电极的侧壁上。本发明可以进一步提高FeFET铁电特性以及存储能力。

《一种基于应变硅技术的铁电场效应晶体管及其制备方法》是一发明专利，专利号为 2025100479828，当前法律状态为已下证，由西安石油大学提出申请，发明人为郝敏如;陈丹婷;邵敏;张艳;周旬，申请日期为2025-01-13，公开（公告）日期为2025-04-29，国际专利分类号（IPC）为 H10D30/60(2025.01)I;H10D30/01(2025.01)I;H01L23/29(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I，高新资质：未报高企，所属技术领域包括：半导体技术半导体器件制备微电子铁电场效应晶体管（FeFET）应变硅工艺HfO₂基铁电存储新型存储芯片铁电存储半导体存储器。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明公开了一种基于应变硅技术的铁电场效应晶体管及其制备方法，该铁电场效应晶体管包括：第一掺杂类型的Si衬底；第二掺杂类型的漏区和源区，位于Si衬底的两端内，且其上表面均与Si衬底的上表面齐平；SiO2绝缘层，位于Si衬底上，且与漏区和源区接触；HZO铁电介质层，位于SiO2绝缘层上；栅电极，位于HZO铁电介质层上；源电极和漏电极，分别位于部分漏区和部分源区上；SiN层，位于剩余部分的漏区、剩余部分的源区、栅电极、源电极和漏电极上，以及SiO2绝缘层、HZO铁电介质层、栅电极、源电极和漏电极的侧壁上。本发明可以进一步提高FeFET铁电特性以及存储能力。

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