一种硅基红外上转换器件及其制备方法

本发明提供了一种硅基红外上转换器件及其制备方法。该制备方法包括如下步骤：利用包含醇和碱的溶液的湿刻蚀溶液刻蚀具有窗口阵列的单晶硅基底，以在所述单晶硅基底的窗口阵列上形成锥形微纳结构；利用共蒸镀法在所述锥形微纳结构的表面沉积二硒化钼薄层结构，并退火，获得二硒化钼和硅的异质结；在所述单晶硅基底的与所述窗口阵列所在表面相反的另一表面形成底电极，在所述二硒化钼和硅的异质结上依次形成有机发光层和顶电极，从而制备获得硅基红外上转换器件。本发明方案极大提高了硅基红外上转换器件的探测波段上限，最大可以将硅基红外上转换器件的探测波段上限从现有技术中的1.1μm提高至1.8μm。

《一种硅基红外上转换器件及其制备方法》是一发明专利，专利号为 2021110065089，当前法律状态为已下证，由苏州英凡瑞得光电技术有限公司提出申请，发明人为张秀娟;揭建胜，申请日期为2021-08-30，公开（公告）日期为2025-07-29，国际专利分类号（IPC）为 H10K 71/16 (2023.01)，高新资质：未报高企，所属技术领域包括：短波红外成像硅基光电器件硅基红外上转换光电器件硅基二维材料异质结光电转换半导体晶圆检测通信光信号检测农产品光谱检测生物医学红外检测汽车夜视成像安防监控探测宇宙遥感军事侦察。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明提供了一种硅基红外上转换器件及其制备方法。该制备方法包括如下步骤：利用包含醇和碱的溶液的湿刻蚀溶液刻蚀具有窗口阵列的单晶硅基底，以在所述单晶硅基底的窗口阵列上形成锥形微纳结构；利用共蒸镀法在所述锥形微纳结构的表面沉积二硒化钼薄层结构，并退火，获得二硒化钼和硅的异质结；在所述单晶硅基底的与所述窗口阵列所在表面相反的另一表面形成底电极，在所述二硒化钼和硅的异质结上依次形成有机发光层和顶电极，从而制备获得硅基红外上转换器件。本发明方案极大提高了硅基红外上转换器件的探测波段上限，最大可以将硅基红外上转换器件的探测波段上限从现有技术中的1.1μm提高至1.8μm。

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