一种GaN同质悬臂梁结构及其制备方法

本发明涉及一种GaN同质悬臂梁的制备方法，包括以下制备步骤：获取本征GaN基底，在其上外延第一层GaN薄膜，第一层GaN薄膜包括第一n型重掺杂区和第一非故意掺杂区。在第一层GaN薄膜上外延第二层GaN薄膜。第二层GaN薄膜包括第二n型重掺杂区和第二非故意掺杂区，第二非故意掺杂区包括相互连接的支撑部和悬臂梁部；支撑部和第一非故意掺杂区重合连接。通过湿法蚀刻将第一n型重掺杂区和第二n型重掺杂区腐蚀去除，保留第一非故意掺杂区和第二非故意掺杂区，形成在本征GaN基底上生长GaN悬臂梁的GaN同质悬臂梁结构。本发明的GaN同质悬臂梁结构的制备方法工艺简单、稳定性好、制备效率高、可靠性强，可制备尺寸误差0.1nm的微机电结构，可广泛应用于微机电系统。

《一种GaN同质悬臂梁结构及其制备方法》是一发明专利，专利号为 2021108816906，当前法律状态为已下证，由三明学院提出申请，发明人为崔积适，申请日期为2021-08-02，公开（公告）日期为2024-11-22，国际专利分类号（IPC）为 B81C 1/00 (2006.01)，高新资质：未报高企，所属技术领域包括：光电子技术、化学传感、高速光纤通信、数据中心、自动驾驶与激光雷达、航空航天与国防军工、生物医学、工业自动化传感与环境监测、能源、量子信息。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明涉及一种GaN同质悬臂梁的制备方法，包括以下制备步骤：获取本征GaN基底，在其上外延第一层GaN薄膜，第一层GaN薄膜包括第一n型重掺杂区和第一非故意掺杂区。在第一层GaN薄膜上外延第二层GaN薄膜。第二层GaN薄膜包括第二n型重掺杂区和第二非故意掺杂区，第二非故意掺杂区包括相互连接的支撑部和悬臂梁部；支撑部和第一非故意掺杂区重合连接。通过湿法蚀刻将第一n型重掺杂区和第二n型重掺杂区腐蚀去除，保留第一非故意掺杂区和第二非故意掺杂区，形成在本征GaN基底上生长GaN悬臂梁的GaN同质悬臂梁结构。本发明的GaN同质悬臂梁结构的制备方法工艺简单、稳定性好、制备效率高、可靠性强，可制备尺寸误差0.1nm的微机电结构，可广泛应用于微机电系统。

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