分子印迹检测氯霉素的电化学传感器及其制备方法和应用
本发明涉及氯霉素的检测技术领域,尤其涉及分子印迹检测氯霉素的电化学传感器及其制备方法和应用。电化学传感器包括Uio‑66‑CDs/GCE修饰电极,及以功能单体吡咯Py和模板分子氯霉素CAP电聚合并洗脱除去CAP后形成在所述Uio‑66‑CDs/GCE修饰电极表面的氯霉素分子印迹聚合物薄膜,Uio‑66与碳量子点CDs的质量比为1~2:1~4。以本申请传感器作为工作电极,Ag/AgCl电极作为参比电极,铂电极作为辅助电极,采用电化学交流阻抗技术检测CAP,最低检测限达6.2×10
《分子印迹检测氯霉素的电化学传感器及其制备方法和应用》是一发明专利,专利号为 202110821053X,当前法律状态为已下证,由常州大学提出申请,发明人为陈智栋;卜李银;陈小卉;宋清远;王文昌,申请日期为2021-07-20,公开(公告)日期为2024-02-13,国际专利分类号(IPC)为 G01N 27/30 (2006.01),高新资质:未报高企,所属技术领域包括:高分子化学、超分子化学和仿生传感、电分析化学、分析化学、材料科学。该专利已下发证书,权利稳定,适合直接办理转让过户,是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更(过户)的一站式专利转让服务,专业顾问全程协助,确保交易合规、安全、高效。专利摘要:本发明涉及氯霉素的检测技术领域,尤其涉及分子印迹检测氯霉素的电化学传感器及其制备方法和应用。电化学传感器包括Uio‑66‑CDs/GCE修饰电极,及以功能单体吡咯Py和模板分子氯霉素CAP电聚合并洗脱除去CAP后形成在所述Uio‑66‑CDs/GCE修饰电极表面的氯霉素分子印迹聚合物薄膜,Uio‑66与碳量子点CDs的质量比为1~2:1~4。以本申请传感器作为工作电极,Ag/AgCl电极作为参比电极,铂电极作为辅助电极,采用电化学交流阻抗技术检测CAP,最低检测限达6.2×10
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