表面具有高导电结构缺陷的氟化碳及其制备方法和应用（锂氟化碳电池，新能源，新材料）

本发明属于氟化碳材料技术领域，公开了表面具有高导电结构缺陷的氟化碳及其制备方法和应用。所述制备方法为：于惰性气氛中，将氟化碳和氮源混合后进行研磨处理，获得混合物；于惰性气氛中，将所述混合物于200~500℃下进行热处理，即获得表面具有高导电结构缺陷的氟化碳。本发明通过将氟化碳和氮源研磨后进行热处理，使氮源在热处理过程中分解产生气体，成功制备出表面高导电结构缺陷的氟化碳，降低了表面C‑F共价键和C‑F

《表面具有高导电结构缺陷的氟化碳及其制备方法和应用（锂氟化碳电池，新能源，新材料）》是一发明专利，专利号为 2024105083818，当前法律状态为已下证，由中国矿业大学提出申请，发明人为史月丽;李星晨;庄全超;鞠治成;白浪;张雨情;邱领邦;王李波，申请日期为2024-04-26，公开（公告）日期为2024-06-28，国际专利分类号（IPC）为 C01B 32/10 (2017.01)，高新资质：未报高企，所属技术领域包括：锂氟化碳电池，新能源，新材料多孔碳储能、电池、电解质、钠离子、PCS拓扑。该专利已下发证书，权利稳定，适合直接办理转让过户，是企业申报高企、项目招投标、质押融资的优质标的。赋翼网提供从选品、尽调、合同签订到官方著录项目变更（过户）的一站式专利转让服务，专业顾问全程协助，确保交易合规、安全、高效。专利摘要：本发明属于氟化碳材料技术领域，公开了表面具有高导电结构缺陷的氟化碳及其制备方法和应用。所述制备方法为：于惰性气氛中，将氟化碳和氮源混合后进行研磨处理，获得混合物；于惰性气氛中，将所述混合物于200~500℃下进行热处理，即获得表面具有高导电结构缺陷的氟化碳。本发明通过将氟化碳和氮源研磨后进行热处理，使氮源在热处理过程中分解产生气体，成功制备出表面高导电结构缺陷的氟化碳，降低了表面C‑F共价键和C‑F

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